%0 Journal Article
%T CMOS倒相链瞬态对延迟模型分析
%A 郝跃
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文提出利用单极点响应波形逼近方法,构造CMOS例相链瞬态对延迟时间模型;考虑了不同负载电容和载流子迁移率对响应函数的影响.该模型的解析性决定了瞬态分析时间短,参数分析灵活.它尤为适合对CMOS电路的最优化设计.精度分析表明该模型适合集成电路的性能分析和设计.
%K 集成电路
%K 倒相链
%K 瞬态
%K 延迟模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=22BC3540DC1A5212&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=D8414BC1307BF1A3&eid=8DBE05486163BAB2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1