%0 Journal Article
%T Annealing Properties of TiSi_x/GaAs Contacts<br>TiSi_x/GaAs肖特基接触的退火特性
%A Qian He/Division of Microelectronics Technology
%A Xi''''an Jiaotong UniversityLuo Jinsheng/Division of Microelectronics Technology
%A Xi''''an Jiaotong University
%A <br>钱鹤
%A 罗晋生
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSi_x/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSi_x的电阻率,与GaAs接触界面的热稳定性,化学稳定性及所形成肖特基结的电特性.结果表明:TiSi_21/GaAs界面在975℃、12秒快速退火下表现出好的热稳定性和化学稳定性,所形成的肖特基接触具有良好的电特性,在800℃、20分钟的常规退火下,界面处有Ti的堆积和某种界面化学反应.对于快速退火工艺,TiSi_2可满足作为自对准 GaAs MESFET栅极材料所要求的界面稳定性.
%K Gallium arsenide
%K Silicide
%K Rapid thermal annealing<br>砷化镓
%K 硅化物
%K 快速热退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=91CC9F0454D992A8&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=0B39A22176CE99FB&sid=DDD31293A7C7D057&eid=EFD65B51496FB200&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0