%0 Journal Article
%T Study on Emission Kinetics of SiH_4 Plasma Induced by TEA CO_2 Laser<br>TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究
%A Fu Guangsheng/
%A <br>傅广生
%A 董丽芳
%A 李晓苇
%A 韩理
%A 张连水
%A 吕福润
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体过程。探测到了Si,Si~+,Si~(2+),SiH~+,SiH,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品气压和激光能量的变化;探讨了SiH_4的分解及其碎片之间的反应过程,提出SiH_4的主要分解通道为产生Si的通道。本工作对SiH_4 LPCVD动力学研究有重要意义,对低温等离子体研究也有一定参考价值。
%K LPCVD
%K dissociation process of SiH_4<br>激光诱发
%K SiH
%K 等离子体
%K 发光动力学
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1A263F11104938A8&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=38B194292C032A66&sid=23104246A5FCFCEF&eid=BC084ACE66B62CC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=7