%0 Journal Article
%T Cr/GaAs(100)界面形成和界面反应的SRPES研究
%A 张发培
%A 徐彭寿
%A 徐世红
%A 陆尔东
%A 余小江
%A 张新夷
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 利用同步辐射光电发射研究了Ｃｒ／ＧａＡｓ（１００）界面形成和结构．室温下，当Ｃｒ覆盖度低于０．２ｎｍ时，Ｃｒ与ＧａＡｓ衬底的作用很弱，没有反应产物生成．覆盖度高于０．２ｎｍ时，开始发生界面扩散和反应，Ａｓ原子与Ｃｒ生成稳定的ＣｒＡｓ化合物，而Ｇａ原子则与Ｃｒ形成组分变化的ＣｒＧａ合金相，并居于界面处．提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应，引起表面偏析Ａｓ的出现．芯能级谱的结合能与强度分析表明，反应产物可作为有效的势垒（化学陷阱），阻止衬底的Ｇａ的外扩散．此外还比较了Ｃｒ与ＧａＡｓ（１００）及ＧａＡｓ
%K 砷化镓
%K 铬
%K SRPES
%K 界面形成
%K 界面反应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3B5770B259980E02&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=375BEEEA164CFE59&eid=0954045FA0C6885F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5