%0 Journal Article
%T Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应
%A 柯三黄
%A 黄美纯
%A 王仁智
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文应用平均键能理化和形变势方法对理想的Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）异质界面的价带不连续性进行了理论确定，全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作用，以及阳离子浅ｄ轨道的影响．得出了Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）系统的各价带能量不连续值与弹性应变的定量关系，并对结果进行了讨论．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4390D9B0BD75BB42&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=73579BC9CFB2D787&eid=5BC9492E1D772407&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0