%0 Journal Article
%T In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究
%A 王庆康
%A 史常忻
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文通过分析In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)的光电响应与指状电极间距离、光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明、光电响应速度存在最佳值。用计算机辅助分析得到的In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD的光电响应时间与偏置电压的关系与实验器件实测结果相一致。研究结果为设计高速响应In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD及建立器件光电响应模型提供了依据。
%K 金属－半导体
%K 光电探测器
%K 光电响应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE38FE1809BCBF419824&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=0B9C8D3D9D6254B2&eid=04CF423CEE45E258&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4