%0 Journal Article
%T 分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究
%A 梁基本
%A 孔梅影
%A 王占国
%A 朱战萍
%A 段维新
%A 王春艳
%A 张学渊
%A 曾一平
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。
%K 砷化镓
%K 外延生长
%K 缓冲层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7927C3902EA04309&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=B5D9C773C430C13C&eid=BDEE8BA20F4733DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1