%0 Journal Article
%T Carge-Trapping Effect of Al/SRO/Si Devices Under Lateral Electrical Stress<br>Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
%A Yu Zhenrui
%A Du Jinhui
%A Zhang Jiayou
%A Li Chang'an
%A Aceves M
%A <br>于振瑞
%A 杜金会
%A 张加友
%A 李长安
%A Aceves M
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 利用Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用L PCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C- V测量研究其电荷俘获性质.发现对于n型Si衬底,在横向电压作用下,SRO层能够俘获正电荷,电荷俘获效应与SRO层的性质有关.基于电位在器件内部的分布及诱导pn结的形成,提出了一个简单的物理模型来解释所得到的实验结果
%K silicon
%K rich oxide (SRO)
%K charge trapping effect
%K C
%K V
%K measurements
%K induced pn junction<br>富硅氧化硅
%K 电荷俘获效应
%K C-V测试
%K 诱导pn结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6DE5A1D428B46910&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=708DD6B15D2464E8&sid=334C32317477C964&eid=01A9864A3FFB986F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13