%0 Journal Article
%T 用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度
%A 褚幼令
%A 王宗欣
%A 吴天福
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。
%K 光电导谱仪
%K p－n结
%K 测量
%K 少子扩散
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=900A4F07586F5656&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=9409F3EB075DCD5B&eid=61000B595C9AE527&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2