%0 Journal Article
%T Co—Si多层膜的透射电镜研究
%A 顾诠
%A 何杰
%A 钱家骏
%A 陈维德
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。
%K 半导体薄膜
%K 透射电镜
%K Co－Si膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D345AA6B69B018DC&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=0B52E912EAFE3700&eid=81D76BB45305F8B7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=5