%0 Journal Article
%T 多孔硅对硅中缺陷的吸除效应
%A 黄宜平
%A 竺士炀
%A 包宗明
%A 何奕
%A 钟回周
%A 吴东平
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应．结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用．采用ＸＴＥＭ分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性，发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区，分析认为该过渡区是一个吸除中心
%K 硅
%K 多孔硅
%K 吸除效应
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=96908ED7236A13C3&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=66973F362693F62B&eid=384C451D3BE0C38C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1