%0 Journal Article
%T InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究
%A 吴正云
%A 王小军
%A 黄启圣
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认．本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响．
%K 半导体材料
%K 应变量子阱
%K 光伏谱
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5AAE45496F8B901F&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E348995F86F60FD3&eid=745C7FAEA69986C7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0