%0 Journal Article
%T LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究
%A 陈建新
%A 邹德恕
%A 张时明
%A 韩军
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质
%K SiGe
%K LPE法硅
%K 外延生长
%K 电子特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=685451A53580145C&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=59906B3B2830C2C5&sid=AE1A1B758F4F84BC&eid=38DB5AF4AD8FDCCA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0