%0 Journal Article
%T 亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述(英文)
%A 于春利
%A 杨林安
%A 郝跃
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的L DD MOSFET.在以双曲正切函数描述的I- V特性基础上,该解析模型的运算量远低于基于数值分析的物理模型,其中提取参数的运用也大大提高了模型的精度,模拟结果与实验数据有很好的一致性.
%K 轻掺杂漏MOSFET
%K 衬底电流
%K 特征长度
%K 最大横向电场
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F9D92C762A6886DD18538EFC9E225A82&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=FBF817B1E8A20479&eid=602F518C16859E7D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14