%0 Journal Article
%T High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD<br>3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性(英文)
%A Zhang Yongxing
%A <br>张永兴
%A 孙国胜
%A 王雷
%A 赵万顺
%A 高欣
%A 曾一平
%A 李晋闽
%A 李思渊
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研究了低压化学气相淀积方法制备的n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管(HJD)在30 0～4 80 K高温下的电流密度-电压(J- V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1.8×10 4 ,在4 80 K时仍存在较小整流特性,整流比减小至3.1.在30 0 K温度下反向击穿电压最高可达2 2 0 V .电容-电压特性表明该Si C/Si异质结为突变结,内建电势Vbi为0 .75 V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明,并讨论了电流输运机制.该异质结构可用于制备高质量异质结器件,如宽带隙发射极Si C/Si HBT
%K LPCVD
%K heterojunction diodes
%K high temperature characteristics<br>LPCVD
%K 异质结二极管
%K 高温特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B7CEC1C6150EAA99&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=4B87E6790C4FD73D&eid=BE1F29C193C78397&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=25