%0 Journal Article
%T Analysis of Influence of ZnTe Insertion Layer on CdTe Solar Cell Parameters<br>碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析
%A Yan Qiang
%A Feng Lianghuan
%A Wu Lili
%A Zhang Jingquan
%A Zheng Jiagui
%A Cai Wei
%A Cai Yaping
%A Li Wei
%A Li Bing
%A Song Huijin
%A Xia Gengpei
%A <br>鄢强
%A 冯良桓
%A 武莉莉
%A 张静全
%A 郑家贵
%A 蔡伟
%A 蔡亚平
%A 李卫
%A 黎兵
%A 宋慧瑾
%A 夏庚培
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 分析了有Zn Te/ Zn Te∶Cu插入层的Cd Te太阳电池在能带结构上的变化.通过对比有无插入层的Cd Te太阳电池在C- V特性、I- V特性、光谱响应上的不同,肯定了插入层对改善背接触特性的作用,发现它还可以改善器件前结Cd S/ Cd Te的二极管特性和短波光谱响应.实验结果还表明,不掺杂的Zn Te对提高器件的效率是必要的.恰当的不掺杂层厚度和退火温度能有效地改进Cd Te太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著
%K co-evaporation deposition
%K back contact
%K CdTe solar cells
%K insertion layer
%K fill factor<br>共蒸发沉积
%K 背接触
%K 碲化镉太阳电池
%K 插入层
%K 填充因子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3804EB038D273351&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=D1D63D047E37A053&eid=9BA67A0B76A3DBA8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=6