%0 Journal Article
%T C~+注入硅形成β-SiC埋层研究
%A 陈长清
%A 杨立新
%A 严金龙
%A 陈学良
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在200℃和680℃下对P型（100）单晶硅进行不同剂量的C+注入，实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在＜100＞取向生长的结晶态，经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后，结晶度得到进一步增强；200℃下注入形成的β-SiC埋层为无定形态，即使经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火之后仍没有发现结晶态衍射峰存在．研究同时揭示了不同C+注入剂量对所形成β-SiC埋层结晶程度的影响，以及不同退火工艺对于样品制备的影响．通过AES成分深度测试及剖面透射电子显微镜（XTEM）可以直观分析β-SiC埋层的内在结构．
%K 碳化硅
%K 埋层
%K 注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9A52259F805A773DB&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B0EBA60720995721&eid=769BD58726D66E7D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=2