%0 Journal Article
%T 高温工艺对TiSi_2/n~+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响
%A 陶江
%A 武国英
%A 张国炳
%A 陈文茹
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文研究了高温退火过程对TiSi_2/n~+-POly-Si 复合栅MOS电容电学性能及TiSi_2膜特性的影响.结果表明,当炉退火温度高于900℃时,TiSi_2层厚度变的不均匀,甚至在某些地方不连续;TiSi_2/n~+Poly-Si 界面十分不平整;多晶硅中杂质外扩散十分严重; MOS电容的性能和电学参数变差.对于RTA过程,高温退火对MOS电容的电学特性没有产生不利影响,TiSi_2膜仍很均匀.所以,在 TiSi_2/Poly-Si复合栅结构工艺中,高温退火过程最好采用 RTA技术.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AB2633D1BF3AF76E&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4C2B9916B58305BE&eid=965F4E89CD0AFC30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0