%0 Journal Article
%T 硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
%A 胡灿明
%A 黄叶肖
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文报道掺磷浓度为10~(13)cm~(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.
%K 光热电离光谱
%K 半导体
%K 杂质
%K 硅
%K 掺磷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D36575026B4622CE&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=2E01F39B6CBD53DE&eid=5FF9F4F7CB1800C7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4