%0 Journal Article
%T 400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管
%A 刘英坤
%A 杨增敏
%A 郎秀兰
%A 王占利
%A 何玉樟
%A 吕仲志
%A 李勇
%A 周晓黎
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．
%K 功率器件
%K 场效应晶体管
%K VDMOS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45CDE19CEF3410857B&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A766A50385B9FB1F&eid=750AE535ABE3D62A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0