%0 Journal Article
%T 反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究
%A 王印月
%A 许怀哲
%A 张仿清
%A 陈光华
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=65E25272EDFB51A1&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=B37ED91D1227CC95&eid=3D8AB54CA690066A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0