%0 Journal Article
%T 垂直电场中GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱内类氢杂质束缚能计算
%A 李树深
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 在有效质量近似下,研究电场对GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱子带和类氢杂质束缚能的影响.计算中考虑到了GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs中的电子具有不同的有效质量和不同的介电常数.数值计算结果表明,GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs中电子有效质量的差异将对电子子带产生较大影响;在阱宽较小时(约10A左右),垂直电场对量子阱内类氢杂质束缚能影响较大.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7E4965915248DDB2&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=EB8E83807F36F05B&eid=2A92ABD90588B251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0