%0 Journal Article
%T Ion-Beam Exposure Characteristics of PMMA<br>PMMA的离子束曝光特性
%A Wang Yugang/
%A <br>王宇钢
%A 赵渭江
%A 郑桂洲
%A 高玉芝
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 用B~+、F~+离子束曝光PMMA,实验得到灵敏度为(1-8)×10~(12)离子/厘米~2,饱和曝光深度t由能量损失的深度分布范围决定,且t≌R_p+2△R_p,阈值能量8_m=(30-330)焦耳/厘米~3,并估算了本实验条件下离子束曝光PMMA的分辨率d～(25-100)纳米.XPS分析结果表明,在剂量D>1×10~(13)离子/厘米~2时,PMMA表层中含氧量才显著减少,由此推想在离子束曝光常用剂量范围内,PMMA发生降解反应时并不伴随含氧侧基的脱落.
%K Ion beam
%K Exposure
%K Resist sensitivity
%K Polymer
%K Energy deposition
%K Ion range
%K Energy loss<br>离子束
%K 曝光
%K 抗蚀剂
%K 灵敏度
%K PMMA
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BF09B80AF84523FBB2483E186FA5D47F&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=4ECB3941871FD391&eid=F9A6B6F259CE5121&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1