%0 Journal Article
%T CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究
%A 张希清
%A 徐征
%A 侯延冰
%A 王振家
%A 王永生
%A 徐叙溶
%A Z K Tang
%A 汪河州
%A 李伟良
%A 赵福利
%A 蔡志刚
%A 周建英
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱结构．Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ，表明我们的样品具有较高的质量．在变密度激发的ｐｓ时间分辨光谱中，随着激发密度的减小发光衰减时间减小，认为是由无辐射复合引起的．
%K 多量子阱
%K Ⅱ－Ⅵ族
%K Ⅲ－Ⅴ族
%K 半导体异质结
%K 结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9B07287DF49AF056&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=66973F362693F62B&eid=2BCD2FED7562E194&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2