%0 Journal Article
%T GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究
%A 牛智川
%A 袁之良
%A 周增圻
%A 徐仲英
%A 王守武
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的脊形量子线具有发光各向异性、激子束缚能明显大于侧面量子阱等特点．用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型进行的近似计算结果证实了脊形量子线的横向量子限制效应导致了光致发光峰位置２０ｍｅＶ的蓝移
%K 砷化镓
%K 光致发光谱
%K 量子线
%K 管
%K 发光特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C4F4D059D6D363E7&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=1F8584045E0BED57&eid=BE05E2A2B7E55AA9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8