%0 Journal Article
%T 氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究
%A 谢二庆
%A 巩金龙
%A 徐灿
%A 陈光华.
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯．质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有Ｃ５９Ｎ、Ｃ５９Ｎ２、Ｃ５９Ｎ４、Ｃ５９Ｎ６以及Ｃ７０Ｎ２等分子团簇，对蒸发制备的薄膜进行３小时２００℃退火测得其室温电导率为１e－６（Ｓ／ｃｍ），激活能为０．６９ｅＶ（常温），０．５６ｅＶ（高温）．
%K 氮
%K 掺杂
%K 富勒烯薄膜
%K 电学性质
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=27F67AC94DA6EB9D&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=6425DAE0271BB751&eid=E114CF9BB47B65BE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1