%0 Journal Article
%T n－Al_xGa_（1－x）As／n－GaAs的特性参数研究
%A 沈顗华
%A 朱文章
%A 许淑恋
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文测了ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ的表面光伏谱，推导了有关计算公式，计算了它们的能隙和组分，得出了它们的重要材料参数．计算结果表明：理论计算与实验结果是一致的．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BEEE3D01C8A9B008&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=43608FD2E15CD61B&eid=C5F8B8CB20F1B3D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0