%0 Journal Article
%T GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器
%A 张耀辉
%A 江德生
%A 夏建白
%A 刘伟
%A 崔丽秋
%A 杨小平
%A 宋春英
%A 郑厚植
%A 周增圻
%A 林耀望
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ
%K 红外探测器
%K 砷化镓
%K GaAlAs
%K 量子阱
%K 探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F795F9E8AFBFC3FB&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=70AC2EF7F2065E09&eid=E2546871E5B846EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2