%0 Journal Article
%T 由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器
%A 康学军
%A 林世鸣
%A 高俊华
%A 高洪海
%A 王启明
%A 王红杰
%A 王立轩
%A 张春晖
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E427324E0C2B2B50&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=BF1420E7E18952EE&eid=BE05E2A2B7E55AA9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0