%0 Journal Article
%T SiGe／Si异质结构MOS器件栅介质技术研究
%A 亓文杰
%A 於伟峰
%A 李炳宗
%A 顾志光
%A 黄维宁
%A 姜国宝
%A 张翔九
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件研制，试制成功ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ实验性器件．
%K MOS器件
%K 栅介质
%K SiGe
%K 硅
%K 异质结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=55F06A4A75FFEC47&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=9596F7248FB5796B&eid=D5B44BB3CCE27369&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4