%0 Journal Article
%T Sm在GaAs（100）表面的吸附和界面反应的SRPES研究
%A 徐世红
%A 陆尔东
%A 余小江
%A 潘海斌
%A 张发培
%A 徐彭寿
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１０）界面形成．高分辨的芯能级谱结果表明，在低覆盖度下（＜０．１ｎｍ），Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面．当Ｓｍ的覆盖度增加时，Ａｓ和Ｇａ的表面发射峰很快消失，表明Ｓｍ与Ｇａ发生置换反应而与Ａｓ形成化学键．同时，Ｇａ原子会向Ｓｍ膜体内扩散且偏析到Ｓｍ膜表面，而Ａｓ－Ｓｍ化合物只停留在界面区域．当Ｓｍ膜厚度达到０．５ｎｍ时，Ｓｍ膜开始金属化．结合理论模型，文中还详细地讨论了界面形成和界面结构．
%K GaAs
%K 钐
%K SRPES
%K 化合物半导体
%K 半导体界面
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C783E25A87CC3F97&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=4FBF7A066D63EF1A&eid=525CF7714FCB18E2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2