%0 Journal Article
%T Ion-Induced Interface Reaction between Si and Rare-Earth-Metal Ce and the Formation of Silicide<br>离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成
%A Yang Xihong/
%A <br>杨熙宏
%A 毛思宁
%A 陈坚
%A 刘家瑞
%A 杨锋
%A 许天冰
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.
%K Ion beam mixing
%K Amount of Mixing
%K Rare earth metal
%K silicide Chemical driving force
%K Radiation enhanced Diffusion
%K Cascade mixing<br>离子束混合
%K 稀土金属
%K 硅化物
%K Se
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7511CF29677A6785863C9227B30D53AA&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=708DD6B15D2464E8&sid=5EB19D41D7A73119&eid=7CD511FB1661A334&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1