%0 Journal Article
%T Raman Scattering of Refractory Metal Titanium Silicide<br>难熔金属硅化物的喇曼散射
%A Chen Cunli/
%A <br>陈存礼
%A 曹明珠
%A 何胜龙
%A 徐伟文
%A 蒋宏伟
%A 茅保华
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.
%K Titanium silicide
%K Raman scattering
%K Rapid thermal annealing<br>硅化物
%K 喇曼散射
%K 退火
%K 金属
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=789006A536E47253&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=708DD6B15D2464E8&sid=2D207DE75533FA7E&eid=750AE535ABE3D62A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2