%0 Journal Article
%T 分布反馈式半导体激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析
%A 司伟民
%A 罗毅
%A 李德杰
%A 张克潜
%A 孙长征
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型（ＩＣ）、λ／４相移折射率耦合型（ＱＷＳ）及增益耦合型（ＧＣ）ＤＦＢ激光器作为光源部分的激光器／调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性，在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析．ＧＣ型器件的调制频移特性与ＩＣ及ＱＷＳ型器件基本相同，而ＧＣ型器件的单模选择能力比ＩＣ和ＱＷＳ型器件高得多，特别在ＨＲ－ＡＲ镀膜情况下，单端光输出效率大为提高，且考虑到ＧＣ型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=040243F74AC6FE38&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=65C08888CCE4801E&eid=CB3428B1EFB1C133&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0