%0 Journal Article
%T P－型HgCdTe MIS结构反型层激发态子能带结构研究
%A 刘坤
%A 褚君浩
%A 李标
%A 汤定元
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文在４．２Ｋ下获得了Ｐ－型ＨｇＣｄＴｅ反型层有两个子能带被占据时的电容谱．基于多个子带被占据的非量子限情形，提出了一个实验模型．用该模型对实验结果进行了拟合，获得了反型层基态及激发态子能带结构，包括基态子能带能量、第一激发态子能带能量、费米能级、耗尽层厚度、反型层平均厚度以及它们随反型层电子浓度的变化关系．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E76DA8A48A2EBC68&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8CCD0401CC9AE432&eid=216EFB25F7F834CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0