%0 Journal Article
%T Self-Aligned InGaP/GaAs HBT Monolithic Transimpedance Amplifier<br>自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器
%A 王延锋
%A 孙海峰
%A 刘新宇
%A 和致经
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.
%K self
%K aligned BE junction process
%K InGaP/GaAs HBT
%K transimpedance amplifier<br>自对准工艺
%K InGaP/GaAsHBT
%K 跨阻放大器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2270EB22D4414C5F&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=E158A972A605785F&sid=DA74B62FE4348759&eid=FED44C0135DC1D9C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=5