%0 Journal Article
%T 快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管
%A 赵蔚
%A 张玉书
%A 石家纬
%A 金恩顺
%A 高鼎三
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。
%K 发光二极管
%K 台面型
%K InGaAsP／InP
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B386B0A18766F38C7D28A05EB31AFE1&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=C7461453A367FC85&eid=2EAE52BA5B1222A9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0