%0 Journal Article
%T 负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析
%A 林绪伦
%A 朱恩均
%A 黄敞
%A 肖硕
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴.
%K 场效应晶体管
%K 负电子
%K 迁移率
%K 数值
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A32C9152E842C916&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=C7DDDE86E6286CD9&eid=381FB4265090A8E0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1