%0 Journal Article
%T 多孔硅光致发光峰值能量随HF浓度变化的台阶行为
%A 张树霖
%A 侯永田
%A 何国山
%A 申猛燕
%A 钱必东
%A 刁鹏
%A 蔡生民
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 研究了在不同HF浓度下用电化学方法生成的非简并P型多孔硅的光致发光谱,发现多孔硅荧光谱的峰值能量随HF浓度的变化是“台阶”式的非连续跃变。我们用多孔硅量子线的限制效应并结合多孔硅的形成机制解释了这种“台阶”现象、分析表明,“台阶”现象反映了量子限制效应在多孔硅荧光和形成过程中必然存在的量子化行为。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7FF0195428A8E240&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AE09EACBCD1B2A13&eid=B344543C2864D684&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0