%0 Journal Article
%T 热处理CZ—Si中氧化物沉淀早期发展的研究
%A 栾洪发
%A 肖治纲
%A 柯俊
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文利用TEM研究了850℃热处理直拉硅单晶中的氧化物沉淀行为。通过不同预处理样品的对比,得出点状沉淀是片状沉淀前身的结论。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AA9DAB66D9BED9B3&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=480C51B1F0CE0AB6&eid=7555FB9CC973F695&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0