%0 Journal Article
%T Pd/W/Si(111)多层膜形成硅化物的研究
%A 施一生
%A 赵特秀
%A 刘洪图
%A 王晓平
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文对 Pd/W/Si(111)多层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究.实验结果表明,富Pd组分的多层膜对WSi_x的晶化有明显的诱导作用.多层膜中单层膜厚的增加减弱了诱导晶化作用.利用多层膜可模拟共淀积多元膜,实现硅化物的浅接触.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=58BC041152D204AB&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=6EDA906E07280FB0&eid=0B9C8D3D9D6254B2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0