%0 Journal Article
%T MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究
%A 黄君凯
%A 刘涛
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和d分别为1.47×10~(10)cm~(-3)、1.09eV和50A,模型参数τ_o及v_o和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO_2膜Si/SiO_2界面上态密度的D_(it)(E)分布,其结果和MOS结构中厚SiO_2膜的界面情况类似.
%K 化合物半导体
%K MNOS结构
%K 热激电流谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=07D6C928D6574EDB&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=4D1A534FF6CD5D9A&eid=FA98B938D085B826&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=3