%0 Journal Article
%T 薄栅SiO_2相关击穿电荷的研究
%A 许铭真
%A 谭长华
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 在恒流应力条件下,用时间相关介质击穿(TDDB)特性,研究了Ar-O_2热生长SiO_2的时间相关击穿的电荷性质。研究结果表明:(1)相关击穿电荷(Q_(BD))不是常数,而是与氧化层电场强度(E_(OX))有关;(2)阳极相关击穿电场(E_(BD))近似为常数;(3)电场加速因子( β)不是常数,它亦不是与E_(OX)~(-2)成正比,而是呈更为复杂的电场依赖关系。
%K 二氧化硅
%K 介质击穿
%K 电荷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE38725031E0C6FDD647&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=C3BC38F6CC09E835&eid=FD6137FFCE59D193&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7