%0 Journal Article
%T 反应溅射TiW_yN_x薄膜扩散势垒特性研究
%A 张国炳
%A 武国英
%A 徐立
%A 郝一龙
%A 隋小平
%A A.P.Clarke
%A P.J.Clarke
%A M.D.Strathman
%A T.Gates
%A S.Baumann
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文利用XRD、RBS、AES、SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiW_yN_x薄膜的组份、结构和扩散势垒特性,实验结果表明,膜的组份、结构和特性受溅射时N_2流量影响和溅射功率的影响,这种TiW_yN_x膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了Al/TiW_yN_x/CoSi_2/Si浅结接触的热稳定性。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0BE1A5EF0782F493EF2C0A4576561BA8&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=6C3EA4F7B6E5F836&eid=E008F9AD6D4B96EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0