%0 Journal Article
%T 钛在硅浅结互连中引进深能级的研究
%A 李秀琼
%A 卢励吾
%A 陈维德
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 钛在硅浅结互连中作为铝硅阻挡层已成功地应用在器件工艺中。但它在P-Si一侧引进一个深能级中心,其能级位置在Ev+0.38eV,浓度分布为(-3)×10~(12)cm~(-3);在N-Si一侧引进三个深能级中心:E_c-0.22eV,E_c—0.40eV和E_c-0.55eV,其浓度分布在(1.6—2.6)×10~(11)cm~(-3)。有关参数表明,它对器件的性能有一定的影响。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F21700F50D3063C4&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=06EA2770E96C5402&eid=117F81797AB182FC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0