%0 Journal Article %T 极性半导体中表面激子的性质 %A 孙宝权 %A 肖景林 %J 半导体学报 %D 1993 %I %X 本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。 %K 极性半导体 %K 激子 %K 半导体表面 %K 性质 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A7D6865F5A22F2CA&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=5D71B28100102720&eid=80A07035DF96B0C4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=6