%0 Journal Article
%T CoSi_2/n—Si肖特基势垒的形成和特性
%A 张利春
%A 高玉芝
%A 宁宝俊
%A 洪秀花
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文利用XRD、RBS、AES和四探针等方法研究了不同温度快速热退火后的Co/Si结构薄膜固相反应形成钴硅化物的相序、组份和电学特性。并报道了性能优越的CoSi_2/n-Si肖特基二极管的特性,其势垒高度为0.66eV,理想因子为1.01。
%K 肖特基势垒
%K 二极管
%K 形成
%K 特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE387CB8E37EB9CA01E5&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B6DA1AC076E37400&eid=E514EE58E0E50ECF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=0