%0 Journal Article
%T MgSe薄膜的相结构研究
%A 廖清华
%A 彭学新
%A 熊传兵
%A 刘念华
%A 范广涵
%A 江风益
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首次实验测量出了闪锌矿结构ＭｇＳｅ的晶格常数
%K 硒化镁
%K 相结构
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=32D4A12555BA7038&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8A03DD854A27B60D&eid=E0FF0FB27B45F84E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2