%0 Journal Article
%T 表面势垒层厚度对量子阱束缚电子态的影响
%A 徐至中
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波函数以及相应于电子基态能级与重空穴基态能级间的荧光谱峰位置的影响.文中也讨论了在势阱与势垒边界处的不同衔接条件对量子阱中束缚电子能级计算结果的影响.
%K 量子阱
%K 表面势垒层
%K 厚度
%K 电子态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7F9F4D98DE29CFC8&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=708DD6B15D2464E8&sid=E934BC2766053B28&eid=D559883475316B44&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1