%0 Journal Article
%T Semiconducting Properties of Amorphous Hg_(1-x)Cd_xTe Films<br>Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质
%A Cao Baocheng/Institute of Optical
%A Electronic Materials
%A Devices
%A Shandong University Liu Ming/Institute of Optical
%A Electronic Materials
%A Devices
%A Shandong University Dai Guocai/Institute of Optical
%A Electronic Materials
%A Devices
%A Shandong University
%A <br>曹宝成
%A 刘明
%A 戴国才
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。
%K Ⅱ-Ⅵ化合物非晶薄膜
%K 光电性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A62AD28283FB67E5&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F3549E0657848E2A&eid=640CCB6E396307A8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0